Semiconductori

Semiconductori

Aplicatii in domeniul semiconductorilor

Bruker Optics ofera prin tehnologia spectromtrelor FT-IR de ultima generatie, solutii fiabile si nedistructive in controlul calitatii siliciului cu lumina infrarosu in domeniul fotovolatic si electronica. Cu spectrometrele FT-IR si Raman Bruker Optics beneficiati de mai mult de 30 ani de experienta in studiul semiconductorilor.

Controlul calitatii Siliciului

Ø Controlul calitatii Si in procesul industrial – CryoSAS;

Ø Analiza continutului de carbon si oxigen la temperatura camerei;

Ø Masurarea impuritatilor superficiale, tip bor si fosfor prin analiza in transmisie si/sau foto-luminiscenta (PL) la temperatura joasa;

Ø Analiza straturilor de pasivare pe semiconductori;

Ø Determinarea grosimii epi-straturilor.

Masuratori pentru toata gama de materiale

Ø Tehnica de masurare a probei fara contact;

Ø La temperatura camerei, temperaturi de azot lichid si heliu lichid;

Ø In conformitate cu standardele SEMI, ASTM si DIN;

Ø Moduri de analiza: transmitanta, reflectanta si foto-luminiscenta;

Ø Aplicabil atat pentru analiza probelor micro, cat si macro.

Determinarea cantitativa a continutului de C si O₂

Dispozitivele bazate pe Si, cum ar fi circuitele integrate, joaca un rol esential in viata de zi cu zi. In plus, datorita limitarii continutului de combustibili fosili, celulele solare pe baza de siliciu prezinta din ce in ce mai multa importanta. Cea mai mare parte a siliciului produs industrial se regaseste in procesele (de ex. metoda Czochralski) din care rezulta concentratii semnificative de oxigen interstitial si carbon substituit. In functie de concentratie, precum si de aplicatia finala, aceste impuritati pot avea atat efecte nocive cat si benefice. De exemplu, eficienta celulelor solare scade, atunci cand concentratia de oxigen este prea mare.

Determinarea continutului de impuritati

In afara de concentratia de carbon si oxigen, determinarea continutului de impuritati este de prima importanta, deoarece acestea afecteaza in mod semnificativ proprietatile electrice ale materialului (de ex. rezistivitatea). Urmele de impuritati pot fi divizate in elementele grupei a V: P, As si Sb – in calitate de donatori de electroni si in elementele grupei a III: B, Al, Ga si In – care afecteaza siliciul ca acceptori de electroni.

Studii de cercetare si dezvoltare in domeniul semiconductorilor

Ø Spectroscopie fononica;

Ø Studiul zonelor de energie interzisa;

Ø Foto-luminiscenta.

Modulul PLII

Sursa cuantica AlInGaAs

Modulul PLII este accesoriul dedicat masuratorilor de fotoluminiscenta in studiile de cercetare si dezvoltare. Aplicatiile tipice acestui domeniul sunt: investigarea nano-structurii semiconductorilor, semiconductori organici sau cristale dopate. Modulul PLII poate fi adaptat oricarui spectrometru din seria VERTEX, oferind o gama larga de optiuni, cum ar fi: masuratori la temperatura joasa si/sau mapping de foto-luminicenta.